SJT 10041-1991 电子元器件详细规范 半导体集成电路CC4014型 CMOS 8位移位寄存器
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ID： |
8CBD712AAF744D6FBDE576CDE4421566 |
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文件大小(MB)： |
0.24 |
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页数： |
17 |
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日期： |
2009-6-11 |
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Si,中华人民共和国电子工业行业标准,sJ/T 10041-91,电子 元 器 件 详 细规范,半导体集成电路CC4014型CMOs,8位 移 位 寄 存 器,1991-04-08发布1991一07-01实施,中华人民共和国机械电子工业部发布,中华人民共和国电子工业行业标准,电 子元器件详细规范,半导体集成电路CC4014型,CM Os$ 位移位寄存器,SJ/T 10041-91,De ta il s p e cif ic at io n fo re lectronic component,Semiconductor integrated circuit-CC4014 CMOS 8-bit shift register,本 规 范 规定了半导体集成电路CC4014型CMOSS位移位寄存器质量评定的全部内容,本规 范 是 参照GB9 424fCMOS数字集成电路4000系列电路空白详细规范》制订的，并符,合GB 4589. if半导体器件分立器件和集成电路总规范》及GB 12750(半导体集成电路分规,范(不包括混合电路)》的要求,中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施,一I一,SJ/T 10041-91,中华人民共和国机械电子工业部,评定器件质童的依据,GB 4589. 1《半导体器件分立器件和集成电路总,规范》,GB 12750《半导休集成电路分规范(不包括混合电,路)》,SJ/T 10041-91,CC 4014型8位移位寄存器详细规范,订货资料:见本规范第?章,飞机械说明,外 形 依 据GB 7092(半导休集成电路外形尺,寸》.,外 形 图 :按GB 7092,EFY}E5.4.,引 出 端 排列:,一 0 一,D,匡 ~ 习 、,Q,匡 15D ,Q，匡 囚 D,D,匡 回 .n,，匡 习 Qe,D,匡 习 ,D,区 习 CP,、匡 习 M,引 出 端 符号名称见本规范第11.1条,标 志 :按 GB 4589.1 条第2w5条及本规范第6,章.,2 简耍说明,CM O S 型移位寄存器,半 导 体 材料:硅,封 装 :空 封、非空封,逻 辑 图 、功能表见本规范第11章.,品种 :,MtI&4IR4AIM'(}D )(F) C4014EF C4014M F,注意静电敏感器件,D型5. 及5.3.1,J型5. 及5.4。1,成-40- t85'C,(E ),一55^-1 125℃一,(M ) 一,一,P型5. 及5.5.1,F型5.,陶瓷直擂(D) CC4014ED CC4019Ml,黑瓷直插(J ) CC4014EJ CC4014MJ,塑料直插(Y) CC4014EP 心一多层陶瓷扁平(F) CC4014EF CC 4014M F,3 质f评定类别, ，I A , I B,IC,一Z一,SJJT 10041-91,4 极限值(绝对最大颇定值),若无其他规定，适用于全工作温度范围,基准电压为V..,条款号参数符号,数值,单位,最小最大,4.1 电砚电压V o - 0.5 18 v,4.2 输人电压V, - 0 5 Von+O. 5 v,4. 3 输入电流lid 10 . A,4 4 工作环境温度范围,M,T,mb,一55 125,℃,E 一40 85,4.5 贮存温度范围Ta,g 一65 150 ℃,4 6 每个封装的功耗‘， Po 500 . W,注 :1 )P 型封装在60℃以上，D.J.F型封装在100℃以上时，P。按12.W/'C线性降额,5 推荐工作条件和电特性,电特 性 的 检验要求见本规范第8章,5.1 推荐工作条件,若 无其 他规定，适用于全工作温度范围,基 准 电 压为V二,条款号参数V-,(V),符号,数值,单位,最小最大,5.1.1 电像电压范围VD 3 15 v,5.1.2 脉冲宽度,5,10,15,w,180,80,50,n 吕,5.1.3 时钟频率,5,10,15,f.,3,6,8.5,M H z,5.1.4 时钟13+ Ffp”间,5,10,15,Lrcp L(cp,15,15,15,州,一3 一,SJ/T 10041- 91,续表,条款号参数V-,(V),符号,数值,单位,最小最大,5.1.5,建立时间,Ds - C P,D - C P,M - C P,5,10,15,血u,120,80,60,n S,5,10,15,80,50,40,5,10,15,180,80,60,5.1.6,保持时间,氏 ,D , M',5,10,15,tx,0,0,0,n s,5.2 电特性,基 准 电 压为V ,条款号特性和条件,V nr,之V ;,符,号,规范值,单,位,一55℃ -40C 25 C 85* C 125* C 试验,最小最大最小Pm最小最大最小最大最小最州,5.2.1,电源电流,VIL二V，，V川=V田,5,Ioo,5 5 5 150 150,拜A,A3,A3a,A3b,10 10 10 10 300 300,15 20 20 20 600 600,5. 2.2,输出低电平电压,V .=V.,V,x=Voo,Ilo I < 111A,5,Vol,0.05 0. 05 0.05 0.05 0.05,V,A3,M a,A 3b,10 0.05 0.05 0.05 0.05 同,15 0.05 0.05 n n‘ 0.05 0.05,「’ 介,5.2.3,输出高电平电压,V ,=V- V,a=Voo,I1.1<1pA,5,而x,4.95 4.95 4. 95 4.95 4.95,V A3, 10 9.95……
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